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　　中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。 　　以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后续工艺节点中嵌入式存储的主要解决方案

要闻     2017-12-22 09:19:31         中国仪表网

　　中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。 　　以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后续工艺节点中嵌入式存储的主要解决方案

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