【中国仪表网 仪表研发】近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线(Gate-all-around silicon nanowire，GAA SiNW)MOS器件的结构和制造方法研究中取得新进展。  图1. 集成电路核心MOS器件结构发展趋势  图2. 研制的全隔离硅基环栅纳米线MOSFET结构与电学特性 　　5纳米以下集成电路技术中现有的FinFET器件结构面临诸多挑战

要闻     2018-04-26 11:30:44         中科院微电子研究所